BSO080P03NS3E G
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BSO080P03NS3E G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：12A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 14.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 150µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：81nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6750pF @ 15V
功率 - 最大值：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8